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本发明涉及存内计算技术领域，特别涉及一种基于DICE结构SRAM的存内计算单元以及阵列，存内计算单元包括DICE结构存储单元；读访问电路C，由MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6组成；读访问电路D，由MOS管M7、MOS管M8和MOS管...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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