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本发明公开了一种双面硅基嵌入式高密度3D封装结构及方法,所述结构包括:硅片基底;嵌入在硅片基底正面内的第一芯片;嵌入在硅片基底背面内的第二芯片;位于硅片基底正面的第一重布线层;位于硅片基底背面的第二重布线层,所述第二重布线层上制作有金属焊点...该专利属于华天科技(昆山)电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华天科技(昆山)电子有限公司授权不得商用。
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