【技术实现步骤摘要】
一种双面硅基嵌入式高密度3D封装结构及方法
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[0001]本专利技术属于半导体芯片
，特别涉及一种双面硅基嵌入式高密度3D封装结构及方法。
技术介绍
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[0002]随着科技的发展，消费电子、物联网、人工智能等电子终端产品的功能也日趋丰富，终端产品的多功能发展趋势也对芯片的功能提出了更多的要求，因此单一功能芯片的封装已经无法满足终端产品的需求。多芯片系统集成技术，如硅基扇出型封装在该背景下应运而生。常规的硅基扇出型封装结构通常只在硅片基底的一侧嵌入芯片，封装的密度相对较低，难以满足更高芯片封装密度的需求。
[0003]公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
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[0004]本专利技术的目的在于提供一种双面硅基嵌入式高密度3D封装结构及方法，从而克服上述现有技术中的缺陷。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种双面硅基嵌入式高密度3D封装结构，包括：
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双面硅基嵌入式高密度3D封装结构，其特征在于，包括：硅片基底；嵌入在硅片基底正面内的第一芯片；嵌入在硅片基底背面内的第二芯片；位于硅片基底正面的第一重布线层；位于硅片基底背面的第二重布线层，所述第二重布线层上制作有金属焊点；贯穿硅片基底的导电铜柱，所述导电铜柱与第一重布线层及第二重布线层导通；位于第一重布线层上的第三芯片；塑封料，所述塑封料将第三芯片封装在第一重布线层上。2.根据权利要求1所述的一种双面硅基嵌入式高密度3D封装结构，其特征在于，所述第一芯片、第二芯片、第三芯片分别至少有一个。3.根据权利要求1所述的一种双面硅基嵌入式高密度3D封装结构，其特征在于，所述硅片基底的厚度为200
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500μm。4.一种双面硅基嵌入式高密度3D封装方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：在硅片基底的正面制备第一凹槽结构；S2：将第一芯片通过粘性材料固定到第一凹槽结构的底部；S3：在第一芯片表面层压一层干膜，干膜将第一芯片侧面与第一凹槽结构之间的缝隙也填满，采用光刻工艺在干膜上形成开口，开口处将第一芯片上的焊盘露出；S4：在干膜表面依次制作第一重布线层和第一钝化层，并在第一钝化层的最表面制作金属焊盘；S5：在第一钝化层上通过覆晶工艺焊接第三芯片；S6：用胶水将第三芯片与第一钝化层之间的缝隙填充起来，再通过塑封料...
【专利技术属性】
技术研发人员：付东之，马书英，仲晓羽，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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