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本文公开的实施例包括半导体装置。在一个实施例中，管芯包括衬底，其中，衬底包括半导体材料。在实施例中，后端层在衬底之上，其中，后端层包括导电布线。在实施例中，管芯还包括从后端层和衬底的边缘延伸出的突起。在实施例中，基准在突起的表面上。基准在突...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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