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本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；第一导电类型的埋层，设于衬底中；漂移区，设于埋层上；漏极区，设于漂移区内；体区，设于埋层上；源极区，设于体区内；埋层上并且在漂移区背离体区的方向上依次排列的第一至第四掺...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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