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本申请提供了一种半导体器件的外延结构及其制备方法及半导体器件，该外延结构包括：衬底、成核层和缓冲层；成核层设置于所述衬底上；缓冲层设置于成核层上；衬底对应的电阻率和缓冲层对应的掺杂浓度满足预设的电阻率与掺杂浓度的对应关系。该半导体器件的外延...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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