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本发明公开了一种电力电子芯片终端保护结构，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层漂移区、第二导电类型掺杂区、若干个沟槽、第二导电类型结型保护区、钝化层、阳极金属电极、阴极金属电极；第二导电类型掺杂区被所述沟槽分割后，靠近芯片有源区且相互连...
该专利属于南京第三代半导体技术创新中心所有，仅供学习研究参考，未经过南京第三代半导体技术创新中心授权不得商用。

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