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本发明提供控制等离子体处理的面内均匀性的等离子体处理装置和气体供给方法。本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理室，其具有构成为能够支承基片的基片支承部；具有多个气体导入部的喷淋头，其中，上述多个气体导入部构成为能够分...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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