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在实施例中,器件包括:集成电路管芯,包括管芯连接件;介电层,位于集成电路管芯上;凸块下金属层,具有位于介电层上的线部分并且具有延伸穿过介电层以接触管芯连接件的通孔部分;通孔,位于凸块下金属层的线部分上,通孔具有接近管芯连接件的第一弯曲侧壁,...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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在实施例中,器件包括:集成电路管芯,包括管芯连接件;介电层,位于集成电路管芯上;凸块下金属层,具有位于介电层上的线部分并且具有延伸穿过介电层以接触管芯连接件的通孔部分;通孔,位于凸块下金属层的线部分上,通孔具有接近管芯连接件的第一弯曲侧壁,...