温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本公开提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括:第一单元、介电层和通道结构。第一单元具有输出端子。介电层设置在第一单元上。通道结构设置在介电层中。通道结构包括第一导电结构、第一导电层和第二导电结构。第一导电层电连接到单元的输出端子...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本公开提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括:第一单元、介电层和通道结构。第一单元具有输出端子。介电层设置在第一单元上。通道结构设置在介电层中。通道结构包括第一导电结构、第一导电层和第二导电结构。第一导电层电连接到单元的输出端子...