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一种电致变发射率结构制造技术
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文档序号:37961264
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本发明涉及电致变发射率结构技术领域,特别涉及一种电致变发射率结构。本发明实施例提供了一种电致变发射率结构,沿厚度方向依次包括反射层、绝缘层和调节层,反射层用于反射红外光,反射层的制备材料包括导体和半导体,调节层的制备材料包括具有红外半透明性...
该专利属于哈尔滨工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。
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