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集成电路(IC)静态随机存取存储器(SRAM)包括具有不同纳米带宽度的共线通过栅极晶体管和下拉晶体管。所述通过栅极晶体管之内相对于所述下拉晶体管窄的带宽度可以减小位单元的读取不稳定性，和/或减小与耦接至所述位单元的读取辅助电路相关联的开销。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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