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描述了形成半导体器件结构的方法。在一些实施例中，所述方法包括：从衬底形成鳍；在所述鳍的一些部分之上形成栅极堆叠；邻近所述栅极堆叠形成外延源极/漏极区；在所述外延源极/漏极区之上沉积电介质层；在所述电介质层中形成开口；以自下而上的方式在所述开...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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