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提供半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括有源区域，有源区域具有第一杂质区域和第二杂质区域；字线，在基底的第一表面上，字线在第一方向上延伸；第一位线，在字线上，第一位线在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且第一位线连接到第一...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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