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提出半导体装置及其形成方法。在形成混合鳍片结构之前，移除覆侧壁层基脚。当移除覆侧壁层以使金属栅极能够形成在纳米结构晶体管的纳米结构通道周围时，移除覆侧壁层基脚防止金属栅极基脚形成在混合鳍片结构下方。可以以非对称方式形成覆侧壁层以包含不同的长...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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