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描述了具有电介质锚定物空隙的集成电路结构以及制作具有电介质锚定物空隙的集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构包括位于浅沟槽隔离(STI)结构中的子鳍状物。多条水平堆叠的纳米线位于该子鳍状物之上。栅极电介质材料层包围所述水平堆叠的纳米线。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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