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本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中，在半导体器件的制备方法中，通过同一掩模，利用自对准工艺分别形成源极和引出区，精简工艺。并且，源极叠置于引出区上。即，源极和引出区在垂直于衬底的方向上呈层叠结构，则引出区不影响源极的尺寸；同时，空穴...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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