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一种用于形成氧化物层的方法，包含在基板上形成界面层，在此界面层上形成非晶硅层，执行直接氧化工艺以使形成的非晶硅层选择性氧化，和执行热氧化工艺以使形成的非晶硅层氧化。化。化。
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该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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