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本发明提供了一种NAND闪存器件及其制备方法，包括：绝缘体上半导体衬底，包括由下至上依次堆叠的第一半导体层、绝缘埋层及第二半导体层，第二半导体层的厚度小于或等于绝缘埋层的厚度；若干栅极结构位于绝缘体上半导体衬底上，栅极结构包括由下至上依次堆...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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