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本公开描述了一种具有由沟槽隔离结构分离的辐射感测区域的半导体器件。根据本申请的实施例，还提供了半导体结构。半导体结构包括在衬底上的第一沟槽填充结构和在衬底上的第二沟槽填充结构。第一沟槽填充结构具有第一宽度和凸底表面。第二沟槽填充结构具有凹底...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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