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示例性器件包括衬底延伸部分上方的沟道层堆叠件、栅极和绝缘层。沟道层堆叠件在第一外延源极/漏极和第二外延源极/漏极之间延伸。栅极围绕沟道层堆叠件的每个沟道层。绝缘层位于衬底延伸部分上方，栅极位于沟道层堆叠件的最底部沟道层和绝缘层之间，并且绝缘...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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