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半导体存储器件制造技术
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文档序号:37842311
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一种半导体存储器件可以包括:单元阵列结构,包括电连接到存储单元的第一接合焊盘;以及外围电路结构,包括第二接合焊盘,该第二接合焊盘电连接到外围电路并接合到第一接合焊盘。单元阵列结构可以包括:堆叠,包括在垂直方向上堆叠的水平导电图案;包括垂直导...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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