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可以提供一种导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：晶体管主体，沿第一水平方向延伸并且包括沿第一水平方向顺序地布置的第一源/漏区、单晶沟道层和第二源/漏区；栅电极层，沿与第一水平方向正交的第二水平方向延伸并且覆盖单晶沟道层的上表面和下表面...
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