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提供了一种形成FET器件的方法，包括：形成初步器件结构，其包括包含层堆叠的鳍结构及沿鳍结构的第一侧的沉积层和沿鳍结构的第二侧的虚设结构，其中层堆叠包括沟道层和与沟道层交替的非沟道层；形成掩模线；沿鳍结构的第一侧在沉积层中形成源极和漏极沟槽；...
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