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本申请提供了一种半导体结构的形成方法，通过将深沟槽隔离光罩工艺集成到有源区反板光罩工艺中，通过一道光罩工艺，在基底上同时形成有源区反板区域和深沟槽隔离区域，在制作深沟槽隔离结构时，无需单独进行深沟槽隔离的硬掩膜层光罩工艺以及硬掩膜层刻蚀工艺...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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