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本文描述了一种器件。该器件包括位于SiC基板上的单位单元。该单位单元包括闸极绝缘膜、井区中的沟槽、具有第二导电类型的第一下沉区和具有第二导电类型的第二下沉区。第一下沉区的深度等于或大于井区的深度。第一下沉区和第二下沉区中的每一者与具有第一导...
该专利属于GENESIC半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过GENESIC半导体公司授权不得商用。

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