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本申请提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底，该衬底包括主体区和漂移区，该漂移区中形成有浅槽隔离结构，该浅槽隔离结构内形成有凹槽；位于该衬底上的栅极结构，该栅极结构包括位于该主体区和漂移区上的主体栅极、以及自该主体栅极一侧朝...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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