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本申请提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底，该衬底包括主体区和漂移区，该漂移区包括间隔区；位于该衬底上的栅介质层，该栅介质层从该主体区延伸至该漂移区，且与该间隔区边缘邻接；位于该栅介质层上且延伸至该间隔区上方的栅极结构，该...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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