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一种半导体器件，包括：堆叠结构，包括栅极堆叠区和虚设堆叠区；竖直存储器结构，穿透栅极堆叠区；以及第一竖直虚设结构，穿透虚设堆叠区的一部分，其中，栅极堆叠区包括彼此交替且重复地堆叠的层间绝缘层和栅极层，虚设堆叠区包括彼此交替且重复地堆叠的虚设...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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