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本发明所公开的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内的表面上形成含有碳的保护膜的工序(a)。蚀刻方法还包括利用在腔室内从包含氟化氢气体及氢氟烃气体的蚀刻气体生成的等离子体对基板的蚀刻膜进行蚀刻的工序(b)。基板包括作为含硅膜的蚀刻膜及含有碳...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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