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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：第一半导体层，第一半导体层包括第一部以及位于第一部相对两侧的第二部，第一部向远离第二部的方向弯折以弯折围成开口；第一栅极，第一栅极位于开口内；介质层，介质层位于第二...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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