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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构、存储器及半导体结构的制造方法，半导体结构包括：阵列半导体层，具有多个存储块，所述存储块包括多条位线和多条字线；与所述阵列半导体层相键合的外围半导体层，所述外围半导体层包括字线驱动区域和感测放大...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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