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公开了一种用于形成半导体器件的互连结构(10)的方法，其中导电层被形成在绝缘层(103)上并被蚀刻以形成第一导电线(101)。此后，间隔物(104)被形成在第一导电线的第一端部的侧壁上。该方法还包括形成平行于所述第一导电线的具有第二端部的第...
该专利属于IMEC非营利协会所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC非营利协会授权不得商用。

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