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半导体结构及其制备方法技术
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文档序号:37708232
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本公开涉及集成电路设计及制造技术领域,特别是涉及一种半导体结构及其制备方法,半导体结构包括衬底以及位于衬底内的若干个字线结构;衬底包括由隔离结构限定的多个间隔分布的有源区,有源区包括沿第一方向延伸的基础有源区,以及位于基础有源区上且与其接触...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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