下载半导体结构及其制备方法的技术资料

文档序号:37708232

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及集成电路设计及制造技术领域,特别是涉及一种半导体结构及其制备方法,半导体结构包括衬底以及位于衬底内的若干个字线结构;衬底包括由隔离结构限定的多个间隔分布的有源区,有源区包括沿第一方向延伸的基础有源区,以及位于基础有源区上且与其接触...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。