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本申请公开了碳纳米管生长、催化剂去除、氮化硼纳米管壳形成方法。提供了一种用于形成用于极紫外光刻的防护膜的方法。该方法包括在过滤薄膜之上形成防护薄膜并且将防护薄膜从过滤薄膜转移到薄膜边界。形成防护薄膜包括在反应器的第一反应区域中从原位形成的金...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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