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一种应用于实现高电压高电流金属氧化物半导体电路结构，包括：一深－Ｎ井、一位于ＮＷＤ之内的Ｐ井、多个位于ＮＷＤ与ＰＷ之内的ｎ＋掺杂区以及ｐ＋掺杂区、多个场效氧化区、一连接至一该掺杂区的基体、一连接至一掺杂区的源极、一连接至一掺杂区的漏极、及一...
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