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一种检测掩膜缺陷的方法，其中掩膜制造之后立刻由掩膜在基准衬底上形成图案。当ＩＣ制造发生时，将所述基准衬底储存在洁净的条件中。当怀疑掩膜有缺陷时，通过掩膜曝光使涂覆抗蚀剂的衬底、也就是测试衬底形成图案。比较基准衬底和测试衬底上的图案，以确定掩...
该专利属于ASML荷兰有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ASML荷兰有限公司授权不得商用。

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