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本公开涉及半导体器件的接触特征及其形成方法。一种方法包括在外延源极/漏极区域之上形成电介质层，在电介质层中形成开口。开口暴露外延源极/漏极区域的一部分。在开口的侧壁和底部上形成阻挡层。对开口的侧壁和底部执行氧化工艺。氧化工艺将阻挡层的一部分...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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