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公开了用于在半导体器件中形成改进的隔离部件的方法以及由该方法形成的半导体器件。在实施例中，制造半导体器件的方法包括在衬底中蚀刻第一沟槽；利用第一可流动化学气相沉积工艺在第一沟槽中沉积第一绝缘层；利用第二可流动化学气相沉积工艺在第一绝缘层上沉...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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