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本公开提供了一种三维存储器及制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，三维存储器包括阵列器件和第一外围器件。阵列器件包括：第一基底、存储堆叠结构和栅线隔离结构。存储堆叠结构设置在第一基底上，包括交替叠置的栅绝缘层和栅极层。栅线隔离结构包括...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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