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半导体器件的制造方法技术
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文档序号:37670162
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本申请公开了一种半导体器件的制造方法,该半导体器件的制造方法包括:提供一基底,并在基底上形成沟槽;在基底表面和沟槽上形成图案化的掩膜层,图案化的掩膜层暴露沟槽的第一侧壁;以图案化的掩膜层为掩膜,并从预设注入方向和预设注入角度对第一侧壁进行离...
该专利属于广东芯粤能半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过广东芯粤能半导体有限公司授权不得商用。
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