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运用于反熔丝型一次编程存储单元阵列的编程控制电路制造技术
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文档序号:37668013
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本发明为一种运用于反熔丝型一次编程存储单元阵列的编程控制电路。于编程动作的过程,编程控制电路即时监测反熔丝型OTP存储单元的编程电流,并且适时的提高编程电压。当编程控制电路确认反熔丝型OTP存储单元产生足够的编程电流时,编程控制电路即确认编...
该专利属于力旺电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过力旺电子股份有限公司授权不得商用。
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