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本发明提供一种图案形成方法、半导体装置的制造方法及 制造装置，其不需要硬掩模就能够以高精度形成微细图案，并 可以比以往简化工序和降低制造半导体装置的成本。本发明为 形成成为蚀刻掩模的规定形状的图案的方法，其具备以下工序： 使含有产酸剂的化学...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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