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本发明公开了一种集成振荡抑制电路的功率模块及方法，所述功率模块包括SiC MOSFET管Q1、SiC MOSFET管Q2、第一过压抑制单元、第二过压抑制单元、耦合电路、负载端子、DC
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该专利属于湖南大学所有，仅供学习研究参考，未经过湖南大学授权不得商用。

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