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本发明提供了一种测试结构及测试方法，所述测试结构包括：衬底；器件结构，形成于所述衬底上；第一保护二极管和第二保护二极管，形成于所述衬底中，所述第一保护二极管和所述第二保护二极管与所述器件结构并联，所述第一保护二极管与所述第二保护二极管的极性...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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