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半导体结构及其制备方法技术
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文档序号:37608374
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本发明提供了一种半导体结构及其制备方法,涉及半导体技术领域,包括:衬底;字线结构,字线结构在衬底上沿第一方向延伸且在第二方向间隔排布,第二方向与第一方向垂直;间隔结构,间隔结构位于字线结构上方,间隔结构包括第一间隔层和空气间隙,第一间隔层设...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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