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本发明提供用于蚀刻微电子装置表面的湿式蚀刻组合物和方法，所述表面含有氮化硅(SiN)、氧化硅和多晶硅，所述多晶硅在一个实施例中与包含比硅在电化学上更惰性的化合物的表面接触，和任选的其它材料，其可包括适用于微电子装置的导电材料、半导电材料或绝...
该专利属于恩特格里斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩特格里斯公司授权不得商用。

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