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半导体结构及半导体结构的制作方法技术
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文档序号:37600092
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本申请提出一种半导体结构及半导体结构的制作方法,半导体结构包含衬底,衬底交叉布置有多条沟槽,使得衬底形成多个硅柱,沟槽中填充有隔离层;其中,硅柱顶部设置有导电层,导电层覆盖硅柱的顶面及邻接顶面的部分侧面,导电层用于与电容接触。通过上述设计,...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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