专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
东京毅力科创株式会社
>
利用等离子体CVD的成膜方法和成膜装置制造方法及图纸
>技术资料下载
下载利用等离子体CVD的成膜方法和成膜装置的技术资料
文档序号:3757641
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明的目的是提供一种在基座周边部分难以产生局部放电的等离子体化学蒸镀方法和实施该方法的装置。在成膜开始前,将气体导入真空排气的腔室内,将基板支撑在位于基座上同时处在上升位置的基板支撑销上,对基板进行预热。接着,在停止导入气体的同时,对该腔...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。