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本发明公开了一种Mg3Sb2晶体材料的制备方法，采用坩埚下降法在助熔剂的协助作用下生长得到Mg3Sb2单晶材料，包括：选取高纯单质元素Mg、Sb、Bi、Y为起始原料，按Mg3Sb2Y
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该专利属于上海电机学院所有，仅供学习研究参考，未经过上海电机学院授权不得商用。

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